电子元器件在出厂使用之前都需要经过环境与可靠性相关检测，包括高低温试验、低气压试验、高低温贮存试验，湿热腐蚀试验等等。接下来为大家重点介绍下关于电子元器件的高温贮存试验。

高温贮存的原理主要是在试验箱中模拟高温条件，对元器件施加高温应力（无电应力），加快部件体内和表面各种物理化学变化的化学反应速率，加速故障过程，使有缺陷的部件尽快暴露；提前消除潜在缺陷。

试验目的

电子元器件的失效很多是由于环境温度造成体内和表面的各种物理、化学变化所引起的。温度升高后，使得化学反应速率大大加快，其失效过程也得到加速，使有缺陷的元器件能及时暴露。通过提高元器件环境温度，加速元器件中可能发生或存在的任何化学反应过程（如由水汽或其他离子所引起的腐蚀作用，表面漏电、沾污以及金-铝之间金属化合物的生成等），使具有潜在缺陷的元器件提前失效而剔除。高温贮存试验对于表面沾污、引线键合不良和氧化层缺陷等都有很好的筛选作用。

试验原理

高温贮存是在试验箱内模拟高温条件，对元器件施加高温应力（不加电应力），使得元器件体内和表面的各种物理、化学变化的化学反应速率大大加快，其失效过程也得到加速，使有缺陷的元器件能尽早暴露。

高温贮存筛选的特点：

最大的优点是操作简便易行，可以大批量进行，投资少，其筛选效果也不差，因而是目比较普遍采用的筛选试验项目。

通过高温贮存还可以使元器件的性能参数稳定下来，减少使用中的参数漂移，故在GJB548中也把高温贮存试验称为稳定性烘焙试验。

对于工艺和设计水平较高的成熟器件，由于器件本身已很稳定，所以做高温存贮筛选效果很差，筛选率几乎为零。

暴露的缺陷

元器件的电稳定性、金属化、硅腐蚀和引线键合缺陷等。

注意事项

1. 温度-时间应力的确定。

在不损害半导体器件的情况下筛选温度越高越好，因此应尽可能提高贮存温度。贮存温度需根据管壳结构、材料性质、组装和密封工艺而定，同时还应特别注意温度和时间的合理确定。有一种误解认为温度越高、时间越长筛选考验就越严格，这是错误的。例如：如果贮存温度过高、时间过长则使器件加速退化以及对器件的封装有破坏性，还有可能造成引线镀层微裂及引线氧化，使得可焊接性变差。确定温度、时间对应关系的原则是：保持对元器件施加的应力强度不能变，即如果提高了贮存温度，则应减少贮存时间。对于半导体器件来说，最高贮存温度除了受到金属与半导体材料共熔点温度的限制以外，还受到器件封装所用的键合丝材料、外壳漆层及标志耐热温度和引线氧化温度的限制。因此，金-铝键合的器件最高贮存温度可选用150 ℃，铝-铝键合最高可选用200 ℃，金-金键合器件最高可选用300 ℃。对电容器来说，最高贮存温度除了受到介质耐热温度限制外，还受到外壳漆层和标志耐热温度以及引线氧化温度的限制，某些电容器还受到外壳浸渍材料的限制，因此，电容器的最高贮存温度一般都取它的正极限温度。

2、高温贮存多数在封装后进行，半导体器件也有在封装前的圆片阶段或键合后进行，或封装前后都进行。

3、国军标中规定高温贮存试验结束后，必须在96 小时内完毕对元器件的测试对比。